欢迎访问河源市中小企业公共技术服务平台
bet356是真的吗

您当前所在的位置: 首页 > 专家库 > 正文

招瑜

  • 学科领域:材料科学与工程/微电子学与固体电子学
  • 所属单位:广工工业大学
  • 研究方向:太阳能电池材料及器件、二维材料及其新型器件
  • 学历/职称:副教授
  • 专家介绍: 招瑜,副教授,2010年毕业于中山大学光学专业,获理学博士学位,主要研究方向为半导体材料和半导体光电子学。主要从事薄膜太阳能电池材料的生长及器件制作、发光二极管的新型封装和测量技术、新型二维材料的生长及其光电子器件方面研究。主持国家自然科学基金、广东省科技项目、广...

专家详情

        招瑜,副教授,2010年毕业于中山大学光学专业,获理学博士学位,主要研究方向为半导体材料和半导体光电子学。主要从事薄膜太阳能电池材料的生长及器件制作、发光二极管的新型封装和测量技术、新型二维材料的生长及其光电子器件方面研究。主持国家自然科学基金、广东省科技项目、广东省自然科学基金和广东省教育厅项目各一项,发表SCI 索引论文40多篇,其中第一作者及通讯作者15篇,SCI总被引超过150次;申请国家专利21项,其中已授权4项;参加国际、国内会议多次。相关的研究论文曾获得第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议优秀论文奖。

知识产权:
       [1] 中国发明专利,一种外延生长用的图形衬底及其制作方法,王钢,招瑜,授权号:ZL 200910041035.9授权日:2012.08.29;
       [2] 中国发明专利,具有高偏振转换特性的半导体激光器件,王钢,招瑜,授权号: ZL2008101989114,授权日:2015.12.09;
       [3] 中国发明专利,具有光子晶体高反射层的半导体发光二极管器件,王钢, 招瑜,授权号: ZL2008100272814,授权日:2010.12.22;
       [4] 中国发明专利,一种Cu2ZnSnS4半导体薄膜的制备方法及其应用魏爱香,颜志强,招瑜,刘俊,陶万库,授权号:  ZL014105529810;
       [5] 中国发明专利,一种Ho3+-Yb3+-F-共掺杂TiO2上转换纳米粉末的制备方法及其应用,宋丽丽,魏爱香,刘俊,招瑜,肖志明,申请公布日:2016.06.22,申请号:2016100284106;
       [6] 中国发明专利,一种Cu2ZnSnS4/石墨烯复合半导体薄膜的制备方法及其应用,庞洲骏,招瑜,魏爱香,刘俊,肖志明,陈镇海,申请公布日:2016.06.15,申请号:2016100142251;
       [7] 中国发明专利,一种在FTO衬底上制备铜锌锡硫半导体薄膜的方法及应用,陶万库,魏爱香,招瑜,刘俊,申请公布日:2016.04.06,申请号:2015108010542;
       [8] 中国发明专利,一种高速数据采集系统中的SDRAM控制方法,魏爱香,林康保,刘俊招瑜,申请公布日:2015.05.27,申请号:201510103038.6;
       [9] 中国发明专利,基于SOPC的SDRAM测试系统及方法,中国,魏爱香,林康保,刘俊招瑜,申请公布日:2015.05.27,申请号:201510105536.4;
       [10] 中国发明专利,一种GaN基LED芯片表面粗化的方法,王钢,陈义廷,范冰丰,招瑜,申请公布日:2015.01.28,申请号:2014105431850;
       [11] 中国发明专利,一种发光二极管封装结构,招瑜,刘俊,魏爱香,申请公布日:2014.04.30,申请号:201410008044.9;
       [12] 中国发明专利,一种发光二极管飞盘状支架,招瑜,钟文姣,魏爱香,刘俊,黄智灏,赵定健,黎文辉,李耀鹏,王仲东,申请公布日:2014.02.19,申请号:201310560817X;
       [13] 中国发明专利,一种发光二极管的结温测量方法及应用,招瑜,庞洲骏,魏爱香,刘俊,肖志明,申请公布日:2016.02.24,申请号:2015107426141;
       [14] 中国发明专利,一种发光二极管的结温测量方法及应用,招瑜,钟文姣,魏爱香,刘俊,申请公布日:2013.07.24,申请号:201310099791.3;
       [15] 中国发明专利,一种光谱可调的ZnO/GaN基白光发光器件结构,招瑜,单梓华,廖世权,邓海生,张彬彬,申请公布日:2012.10.03,申请号:201210145555.6;
       [16] 中国发明专利,根据空间大小亮度自适应的光源系统,招瑜,张彬彬,廖世权,邓海生,单梓华,申请公布日:2012.09.12,申请号:201210116004.7;
       [17] 中国发明专利,一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池吸收层的制备方法魏爱香,刘军,赵湘辉,招瑜,刘俊,申请公布日:2013.01.02,申请号:2012103217868;
       [18] 中国发明专利,一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池吸收层的制备方法,魏爱香,刘军,赵湘辉,招瑜,刘俊,申请公布日:2012.08.15,申请号:2012100505280;
       [19] 中国发明专利,一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池缓冲层材料的制备方法,魏爱香,刘军,赵湘辉,招瑜,刘俊,申请公布日:2012.07.04,申请号:201210050285.0;
       [20] 中国发明专利,一种CdSe纳米晶半导体薄膜的制备方法,魏爱香,赵湘辉,招瑜,刘俊,李金庭,申请公布日:2012.08.29,申请号:201110419632.8;
       [21] 中国发明专利,一种利用光子晶体结构抑制侧向出光的发光二极管器件,张佰君,王钢,招瑜申请公布日:2008.07.23,申请号:2008100261171.
科研项目:
       [1] 光子晶体发光二极管的光操控设计与实验研究,国家自然科学基金青年基金,28万,2013-01-01至2015-12-31,已结题;
       [2] 基于相变材料封装的发光二极管关键技术及其光热特性研究,广东省科技发展专项资金(公益研究与能力建设方向),30万,2016-01-01至2018-12-31,在研;
       [3] 光子晶体发光二极管中的光学操控设计与研究,广东省自然科学基金项目,3万,2012-10-01至2014-09-30,已结题;
       [4] 光子晶体发光二极管的光学特性研究,广东省教育厅育苗工程项目,3万,2012-12-01至2014-11-30,已结题。

Copyright ? 2018 www.heyuan321.com All Rights Reserved.

河源市高新技术开发区创业服务中心大楼二层

技术支持:广东深海信息科技有限公司 网站备案:粤ICP备17157211号